観察される全体的なNF劣化は、図10のG0−HL 1の構成のNF劣化に類似することがある。
整体观测到的 NF降级可类似于图 10的 G0-HL 1的配置的 NF降级。 - 中国語 特許翻訳例文集
pチャネルMOSFET(PMOS)負荷については、NFは2.52dBから4.18dBになり得る。
对于 p沟道 MOSFET(PMOS)负载来说,NF可从 2.52dB变成 4.18dB。 - 中国語 特許翻訳例文集
この構成は、受信機の雑音指数(NF)を劣化させる(例えば、NFを3dBから5dBに増加させる)低い利得に対応すると見ることができる。
可发现此配置对应于使接收器的噪声指数 (NF)降级 (例如,使 NF从 3dB增加到 5dB)的低增益。 - 中国語 特許翻訳例文集