因此，优选使第四 OB区域 64中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L大于第三 OB区域 64中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L。
そこで、第3のOB領域63より第4のOB領域64の方のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lを大きくする方がよい。 - 中国語 特許翻訳例文集
因此，优选使第五 OB区域 65中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L大于第六 OB区域 66中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L。
そこで、第6のOB領域66より第5のOB領域65の方のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lを大きくする方がよい。 - 中国語 特許翻訳例文集
对于 p沟道 MOSFET(PMOS)负载来说，NF可从 2.52dB变成 4.18dB。
pチャネルMOSFET（PMOS）負荷については、NFは2．52dBから4．18dBになり得る。 - 中国語 特許翻訳例文集