【図4】参照ピクセル削除プロセスに対するエッジ検出基準対しきい値をマッピングするグラフの一実施例を示す。
图 4示出映射边缘检测度量相对于用于参考像素去除过程的阈值的示图的一个实施例。 - 中国語 特許翻訳例文集
ランプ信号の生成について上述したように、ランプの一つ、ランプハイ（Rrise）は、入力される非変調基準クロック信号の立ち上がりエッジで生成され、ランプロー（Rfall）は、非変調基準クロック信号の立ち下がりエッジで生成される。
如上文所提及的，关于斜坡信号的产生，所述斜坡之一斜坡 -高 (Rrise)是在进入的未调制参考时钟信号的上升沿处产生的，并且斜坡 -低 (Rfall)是在未调制参考时钟信号的下降沿处产生的。 - 中国語 特許翻訳例文集
位相周波数比較器208は、エッジ発生器207と基準クロック発生器209からの非変調基準クロック信号とを比較して、制御電圧Vctrlを生成する。
相位 -频率检测器 208通过将边沿产生器 207的输出与来自 209的未调制参考时钟信号进行比较来产生控制电压 Vctrl。 - 中国語 特許翻訳例文集