各半導体層21上には、それぞれ個別に上部電極22が形成されている。
在各半导体层21上形成各自的上部电极22。 - 中国語 特許翻訳例文集
図15Aに示すように、スラブ1504を、正にドープされた(positively doped)半導体層1512と負にドープされた半導体層1514との間に挟まれた真性層1510から構成することができる。
如图 15A中所示,板 1504可以包括夹在正掺杂的半导体层 1512与负掺杂的半导体层 1514之间的本征层 1510。 - 中国語 特許翻訳例文集
スラブ1504を、p-i-n層1510、1512、及び1514、または、単一の誘電層もしくは単一の半導体層などの単一層から構成することができる。
板 1504可以包括 p-i-n层 1510、1512和1512,或者单个层,例如单个电介质层或半导体层。 - 中国語 特許翻訳例文集