互补金属氧化物半导体

互补金属氧化物半导体

拼音： hù bǔ jīn shǔ yǎng huà wù bàn dǎo tǐ
日本語訳 ＣＭＯＳ

互补金属氧化物半导体

拼音： hù bǔ jīn shǔ yǎng huà wù bàn dǎo tǐ
英語訳 CMOS、complementary metal-oxide semiconductor

备选地，图像传感器可以是互补金属氧化物半导体 (CMOS)传感器。

代替として、画像センサは、相補型金属酸化物半導体（CMOS）センサでもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

图像传感器 110通常可以是电荷耦合器件 (CCD)或互补金属氧化物半导体 (CMOS)有源像素传感器，但并不是就只限于这两种传感器。

イメージセンサー110は、典型的には、電荷結合素子（CCD）または相補型金属酸化膜半導体（CMOS）アクティブピクセルセンサーであってよいが、決してこれら二つのタイプのセンサーのみに限定されない。 - 中国語 特許翻訳例文集

MFD 100包括壳体 102、激光模块 104、光学光电导体 (OPC)106、OPC匣 (cartridge)108、传动机构 110、上色辊 (fuser)112、面阵互补金属氧化物半导体 (CMOS)图像传感器 114、照明源 116、透明表面 118、输入托盘 120、拾取机构 122、导向器 124以及盖 /输出托盘 126，如图所示进行耦合。

MFD100においては、筐体102、レーザモジュール104、光学光伝導体（OPC）106、OPCカートリッジ108、転送メカニズム110、フューザ112、エリアアレイCMOS（相補型金属酸化膜半導体）画像センサ114、光源116、透明表面118、入力トレー120、ピックメカニズム122、ガイド124、およびカバー／出力トレー126が図示されているように連結されている。 - 中国語 特許翻訳例文集