メモリ206の一部は、非揮発性ランダムアクセスメモリ(NVRAM)を含むこともできる。
存储器 206的一部分还可以包括非易失性随机访问存储器 (NVRAM)。 - 中国語 特許翻訳例文集
この真にランダムなシンボル並べ替えアプローチの下での性能の着想を得るために、200のランダムな実現値に対する平均衝突率を図11に示す。
为了了解在该真正随机的符号置换方法下的性能,在图11中示出了用于200个随机实现的平均冲突率。 - 中国語 特許翻訳例文集
メモリ250はまたランダム・アクセス・メモリ(random access memory)(RAM)、他の揮発性記憶デバイス、又は非揮発性記憶デバイスを備えることが出来る。
存储器 250还可包括随机存取存储器 (RAM)、其它易失性存储设备或非易失性存储设备。 - 中国語 特許翻訳例文集