フラッシュメモリのような特定タイプの不揮発性メモリのプログラミング速度は典型的にはSRAMまたはDRAMのプログラミング速度よりも遅いので、メモリ速度は、用い得る最小圧縮率をともすれば制限する。
由于某些类型的非易失性存储器，诸如闪速的编程速度通常慢于 SRAM或 DRAM的速度，存储器速度潜在地限制能使用的最小压缩比。 - 中国語 特許翻訳例文集
以上に述べたように、本発明に係る撮像装置によれば、従来通電加熱タイプの形状記憶アクチュエータを用いたカメラモジュールにおいて、応答速度は形状記憶アクチュエータの放熱速度により律則され、また形状記憶アクチュエータと通電用の電極との接続部では通電時の膨張率差が大きく、接続部で接触不良となる課題があったが、前記導電性の金属ピンを前記アクチュエータの貫通する溝構造に圧入することにより金属ピンと形状記憶アクチュエータとの電気的な接触を行い、さらに前記アクチュエータを前記筐体に固定できる。
如上所述，在以往使用通电加热类型的形状记忆致动器的照相机模块中，响应速度由于形状记忆致动器的散热速度而受到限制，另外，由于在形状记忆致动器与通电用的电极的连接部中通电时的膨胀率差较大，所以有在连接部中产生接触不良的问题，但根据本发明的摄像装置，通过将上述导电性的金属引脚压入到贯通上述致动器的槽结构中，而进行金属引脚与形状记忆致动器的电接触，进而能够将上述致动器固定到上述框体上。 - 中国語 特許翻訳例文集