如图 15A中所示,板 1504可以包括夹在正掺杂的半导体层 1512与负掺杂的半导体层 1514之间的本征层 1510。
図15Aに示すように、スラブ1504を、正にドープされた(positively doped)半導体層1512と負にドープされた半導体層1514との間に挟まれた真性層1510から構成することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集