例如,当入射光强度被假定为在该入射光强度下电子数量在标准的曝光时间 Ts内 (诸如,当 30帧 /秒时 1/30秒,当 60帧 /秒时 1/60秒 )达到饱和电子数量Qs,则当电压 Vtrg被供应到转移晶体管 22的控制电极时的定时 Ti的存储电子的数量 Nei被估计。
例えば、毎秒30フレームであれば1/30秒、毎秒60フレームであれば1/60秒といった基準となる露光時間Tsで飽和電子数Qsに達する入射光強度を仮定し、転送トランジスタ22の制御電極に電圧Vtrgを供給するタイミングTiにおける、蓄積電子数Neiを見積もる。 - 中国語 特許翻訳例文集