首先,离子被注入到由硅形成的基板 105的预定位置以形成光电转换单元 104。 在形成布线等 (未示出 )之后,从后侧通过 CMP或回蚀刻 (etch back)等将基板制成薄膜 (图7A)。
まず、シリコン基板105の所定の位置にイオンを打ち込み、光電変換部104を作製し、図示しない配線等を形成した後、裏面側からCMPやエッチバックなどにより、基板を薄膜化する(図7(a))。 - 中国語 特許翻訳例文集
刻蚀 平凹版 两步腐蚀 腐蚀切割 腐蚀坑 腐蚀抛光 腐蚀系数 蚀刻版 酸蚀技术 凹蚀制版法